技術(shù)編號:3313213
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種,主要包含以下步驟將單晶Si基體進(jìn)行超聲波清洗;采用反濺射清洗去除單晶Si基體中雜質(zhì),采用預(yù)濺射清洗去除靶材和靶片中的雜質(zhì);在通入Ar和N流量比為1(0.65~0.9)條件下,在單晶Si基體上濺射沉積HEANs薄膜;HEANs薄膜達(dá)設(shè)計(jì)厚度時,以Ar作為工作氣體,在HEANs薄膜上濺射沉積HEAs薄膜;HEAs薄膜達(dá)設(shè)計(jì)厚度時,將爐內(nèi)的真空度調(diào)整至不低于10-3Pa,自然冷卻后出爐即得雙層高熵合金擴(kuò)散阻擋層。本發(fā)明得到的雙層高熵合金擴(kuò)散阻擋...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。