技術(shù)編號(hào):3316784
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例提供一種磁控濺射裝置,涉及真空鍍膜領(lǐng)域,可改善腔體內(nèi)部的等離子體分布狀態(tài),提高鍍膜均勻性。所述磁控濺射裝置包括腔體、設(shè)置在所述腔體內(nèi)的基板、靶材;還包括位于所述基板與所述靶材之間的屏蔽罩;所述屏蔽罩包括屏蔽罩支架與懸浮電位板;其中,所述屏蔽罩支架具有第一鏤空區(qū)域;所述懸浮電位板具有第二鏤空區(qū)域;所述懸浮電位板位于所述第一鏤空區(qū)域內(nèi),且所述懸浮電位板與所述屏蔽罩支架相互絕緣。用于改善腔體內(nèi)部的等離子體分布狀態(tài),提高鍍膜均勻性的磁控濺射裝置的制備。...
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