技術編號：3322889
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。SiCOH低K膜的氣相沉積法相關申請案的交叉引用本申請主張2010年2月17日提交的美國臨時申請第61/305，491號的權(quán)益，其全部內(nèi)容以引用的方式并入本文中。權(quán)利要求1.一種在基質(zhì)上形成SiCOH膜層的方法，所述方法包括以下步驟 -提供安置有至少一個基質(zhì)的反應室； -向反應室中引入含Si-(CH2)n-Si的前驅(qū)體，其中n=l或2，含Si-(CH2)n-Si的前驅(qū)體選自由以下組成的組2.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中該含乙烯基的前驅(qū)體選自由乙烯基二乙...
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