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技術(shù)編號(hào)：3325245

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本發(fā)明公開了，將硅襯底放置于微波等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中，所述硅襯底表面鍍有一層金屬Pt薄膜作為催化劑；將真空度控制在10-30毫巴，通入工作氣體載入碳源至微波等離子發(fā)生區(qū)域，加熱至750-850℃；沉積得到塊體的金剛石薄膜；將薄膜在500-600℃空氣氛圍中煅燒，得到多孔金剛石薄膜。該方法不需要模板，也無需復(fù)雜的預(yù)處理工藝和高溫過程，能夠避免金屬污染，使處理工序更加簡化。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及一種金剛石薄膜的制備方法，尤其涉及。 背景...
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