技術(shù)編號：3342506
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及單晶硅晶圓拋光片的加工方法，特別涉及一種改善表面顆粒的重?fù)缴閱尉Ч杈A拋光片的拋光工藝，單晶硅晶圓拋光片主要應(yīng)用于功率器件和集成電路外延片用襯底材料。背景技術(shù)隨著集成電路工藝技術(shù)的高速發(fā)展，各種新型器件和集成電路不斷涌現(xiàn)，現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路主要是采用直拉重?fù)诫s單晶硅拋光片經(jīng)外延后制備的外延片。其中選擇砷作為重?fù)絾尉Ч璧氖┲麟s質(zhì)，主要優(yōu)點(diǎn)有砷在硅中的溶解度大，易獲得更低電阻率的單晶；具有較大的分凝系數(shù)，在晶體中的分布均勻性也較好；在硅中擴(kuò)散系數(shù)小...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。