技術編號：3343811
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明為化學氣相沉積方法的制膜技術，特別涉及到制備金剛石膜的一種方法。目前，制備金剛石膜的方法有許多，各有其優(yōu)點和不足。熱燈絲法制備金剛石膜的厚度不均勻，生長速率低，燈絲易損壞等。直流噴射法制備薄膜的厚度仍不均勻，雖然生長速率大，但是膜面積難以擴大。原輝光PCVD法生長速率較低，放電不穩(wěn)定，也難以長出大面積厚膜。這里所說的“PCVD”即是等離子體化學氣相沉積的方法。與本發(fā)明最相近的工藝方法是原輝光PCVD法。該方法制備金剛石膜的設備大體上是在真空罩(室)內...
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