技術(shù)編號(hào)：3350299
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有更高的銅擴(kuò)散阻擋特性的鈦合金薄膜。本發(fā)明也涉及鈦合金濺射靶并且涉及禁止銅擴(kuò)散入基底的方法。參見附圖說(shuō)明圖1、2來(lái)描述與TiN勢(shì)壘層有關(guān)的問(wèn)題。確切地說(shuō)，圖1示出了優(yōu)選的勢(shì)壘層結(jié)構(gòu)，圖2示出了與TiN勢(shì)壘層有關(guān)的問(wèn)題。先參見圖1，其中示出一個(gè)半導(dǎo)體晶片段10。晶片段10包括一可以包含如單晶硅的基底12。為了有助于解釋后面的權(quán)利要求，術(shù)語(yǔ)“半導(dǎo)電基底”和“半導(dǎo)體基底”被定義為任何包括半導(dǎo)電材料的構(gòu)造其中不局限于此地包括大批半導(dǎo)電材料如半導(dǎo)體晶片(...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。