技術(shù)編號(hào)：3351254
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種。特定言之，本發(fā)明是關(guān) 于一種可使得前驅(qū)物流體得以實(shí)質(zhì)上穩(wěn)定地導(dǎo)入化學(xué)氣相沉積室的操作方法。背景技術(shù)化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition )方法在半導(dǎo)體工藝中扮演一 個(gè)重要的角色。化學(xué)氣相沉積可以達(dá)成各種特定材料在晶片上建立與成長(zhǎng)一 層固態(tài)薄膜，例如多晶硅層、層間介電層(ILD)、金屬層間介電層(IMI))、淺 溝槽隔離(STI)、與保護(hù)層(passivation)等，其薄膜厚度范圍從低于0.5微米到 數(shù)微米不等...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。