技術(shù)編號(hào):3352381
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種研磨中監(jiān)測研磨終點(diǎn)的方法。背景技術(shù)化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝中經(jīng)常會(huì)遇到研磨某一目標(biāo)層至該層與其下面的支撐 層的界面處停止的情況。由于化學(xué)機(jī)械研磨工藝是同時(shí)利用機(jī)械研磨和化學(xué)反應(yīng)來處理界 面,因此所采用的研磨液通常容易與被研磨的目標(biāo)層的物質(zhì)發(fā)生反應(yīng),而不容易同其下面 的支撐層的物質(zhì)發(fā)生反應(yīng),因此在研磨目標(biāo)層的過程中,表面的反射率一直在上升,而一旦 露出下面的另一層,則表面反射率出現(xiàn)下降。常用的研磨工藝中就是利用這一原理...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。