技術(shù)編號:3355443
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造,尤其涉及一種進(jìn)氣系統(tǒng)。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造中,成膜技術(shù)被用來加工電路,主要用隔離絕緣介質(zhì)層之間所夾的 金屬導(dǎo)電層連接不同的IC器件。淀積工藝可以在硅片表面生長薄膜,在硅片襯底上淀積薄 膜有多種技術(shù),化學(xué)氣相淀積(CVD)就是其中一種。 圖1所示為低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)反應(yīng)腔,反應(yīng)腔1為立式圓柱腔,晶圓2沿 縱向等間隔平行放置在石英舟3上,所述反應(yīng)腔1的頂部中央設(shè)有抽氣孔4,所述抽氣孔4 與真空泵(圖中未示)連接,將反應(yīng)腔1...
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