技術(shù)編號:3360982
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種化學(xué)氣相沉積的方法及設(shè)備。 背景技術(shù)化學(xué)氣相沉積包括導(dǎo)向含有化學(xué)物種的一種或多種氣體至通常為平坦晶片的基片表面上,使得反應(yīng)物種反應(yīng)并在表面上形成沉積。例如,化合物半導(dǎo)體可以通過半導(dǎo)體材料在晶體晶片上的外延生長來形成。第III-V族的半導(dǎo)體一般使用第III族的金屬源, 如鎵,銦,鋁以及它們的組合,與第V族元素源,如一種或多種氫化物或一種或多種第V族元素,如NH3、AsH3、或PH3,或銻有機(jī)金屬化合物如三甲基銻來形成。在該過程中,氣體在晶片表面...
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