技術(shù)編號：3361395
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及選擇性蝕刻和二氟化氙的形成。 背景技術(shù)在電子工業(yè)中已開發(fā)出各種沉積技術(shù)，其中將選定材料沉積于目標(biāo)基材上以制造 電子元件比如半導(dǎo)體。一種沉積工藝是化學(xué)氣相沉積(CVD)，其中氣體反應(yīng)劑被導(dǎo)入至經(jīng)加 熱的加工腔室(chamber)中得到被沉積于期望基材上的膜。CVD的一個亞型被稱作等離子 體增強CVD(PECVD)，其中等離子體在CVD加工腔室中建立。通常，所有沉積方法均造成膜和顆粒材料累積在不同于目標(biāo)基材的表面上，即，沉 積材料也聚集在沉積工藝中使...
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