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技術(shù)編號(hào)：3361619

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本發(fā)明涉及用于半導(dǎo)體設(shè)備如發(fā)光設(shè)備，電子設(shè)備和半導(dǎo)體傳感器的基材的III 族氮化物晶體膜的表面處理方法。此外，本發(fā)明涉及由III族氮化物晶體膜的表面處理方 法制備的III族氮化物晶體基材。背景技術(shù)III族氮化物晶體如GaN晶體和A1N晶體是制造半導(dǎo)體設(shè)備如發(fā)光設(shè)備，電子設(shè)備 和半導(dǎo)體傳感器的基材的非常有用的原料。這里"III族氮化物晶體"指由III族元素和氮 組成的晶體，例如GaxAlyIni—x—yN晶體(0《x，O《y，和x+y《1)。 用作半導(dǎo)體設(shè)備...
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