技術(shù)編號:3362290
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般關(guān)于拋光領(lǐng)域以及在化學(xué)機械拋光工藝中提高拋光墊的壽命和效率的方法。背景技術(shù)為獲得半導(dǎo)體晶片的完全平面化(planarization)將化學(xué)機械拋光(CMP)用于半導(dǎo)體制造工藝。該方法包括利用機械接觸和來自例如運動著的浸透漿料(slurry)的拋光墊的化學(xué)腐蝕從該晶片(一般是二氧化硅(SiO2)),去除材料(例如,表面材料的犧牲層)。因為高形貌區(qū)域(丘)比低形貌區(qū)(谷)去除的速度更快,所以拋光整平了高度差。圖1A顯示CMP機100的俯視圖,而圖1B...
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