技術(shù)編號：3362722
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種靶材基座及采用該靶材基座的鍍膜裝置。 背景技術(shù)現(xiàn)有的真空鍍膜技術(shù)一般是通過高壓電極發(fā)射Ar+粒子，Ar+粒子在真空室內(nèi)撞擊靶材，使得靶材分離出金屬原子，金屬原子被打到被鍍物體的表面上而形成膜層。然而，由于靶材原子向多個方向濺射，如果在同一個真空腔內(nèi)設(shè)置多個不同材料的靶材，將會使得靶材相互污染，從而影響鍍膜質(zhì)量。為了避免靶材之間的污染，在同一個真空腔中通常只設(shè)置一種靶材。然而，鍍多層膜時，每次需要打開真空腔更換靶材，效率低下，且容易使靶材被空氣...
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