技術(shù)編號:3365726
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備,具體涉及一種用于化學(xué)氣相淀積設(shè)備中的氣 體墻結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)用化學(xué)氣相淀積方法(Chemical Vapor D印osition,簡稱CVD)淀積薄膜材料,通 常需要各種原材料和載入氣體,原材料包括參與化學(xué)反應(yīng)并形成薄膜產(chǎn)物的原料成分;載 氣包括各種攜帶原材料的氣體,如氫氣、氮?dú)獾?,這些載氣只載入原材料進(jìn)入反應(yīng)室,本身 并不參與化學(xué)反應(yīng)。CVD薄膜淀積過程都包含以下步驟(1)載氣攜帶著反應(yīng)物從反應(yīng)器進(jìn)口,在反應(yīng) 室的壁面約束下...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。