技術(shù)編號：3366304
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域，具體涉及一種MgZnO薄膜的制備方法及其應(yīng)用。背景技術(shù)目前MgaiO(MZO)薄膜作為一種新興的光電材料，由于原料易得，價格低廉，無毒環(huán)保，而且可見透過率高，成膜簡單，性能穩(wěn)定，具有廣闊的應(yīng)用前景，引起了人們的濃厚興趣。通過調(diào)節(jié)Mg/Zn比可使其禁帶寬度從3.2 7.8eV連續(xù)可調(diào)，從而可以制得覆蓋從藍(lán)光到紫外廣譜區(qū)域的發(fā)光器件。采用磁控濺射方法制備MZO薄膜，具有沉積速率高、襯底溫度相對較低、薄膜附著性好、易控制并能實現(xiàn)大面...
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