技術(shù)編號：3367360
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及合金材料領(lǐng)域，具體涉及。 背景技術(shù)物理氣相沉積(PVD)是半導(dǎo)體芯片和TFT IXD生產(chǎn)過程中最關(guān)鍵的技術(shù)，PVD用 濺射金屬靶材是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)及TFT IXD制備加工過程中最重要的原材料之一，濺射 金屬靶材中用量最大的是高純鋁和超高純凈鋁合金靶材。根據(jù)濺射工藝原理，靶材的晶粒 越細(xì)小，成分組織越均勻，取向越集中，靶材的表面粗糙度越小，通過物理氣相沉積的方法 在硅片上形成的薄膜質(zhì)量越好，因此靶材需要細(xì)晶組織，要求晶粒平均尺寸小于200 μ m，...
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