技術(shù)編號：3369781
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，具體地說，涉及具有鈣鈦礦型晶體結(jié)構(gòu)。日本專利公開No.2000-58525中描述了利用鈣鈦礦型鐵電薄膜CVD方法的沉積方法，所述的薄膜需要具有這些性質(zhì)。該方法包括在第一條件下首先形成早期的核或早期的層，然后通過改變條件進(jìn)行沉積，例如將一定量的含有金屬有機材料氣體的源氣體從第一條件提供到第二條件，同時保持溫度。根據(jù)該方法，可以在約450℃或更低溫度下在金屬電極例如Pt、Ru或Ir，或?qū)щ娧趸锢鏡uO2或IrO2上沉積鈣鈦礦型鐵電薄膜。因此，也...
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