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技術編號：3370721

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本發(fā)明屬微電子材料領域，具體是涉及應用于金屬-氧化物-半導體場效應管(MOSFET)中的高介電系數(shù)柵電介質材料及其制備方法。背景技術 在硅基半導體集成電路中，金屬-氧化物-半導體場效應管(MOSFET)是構成記憶單元、微處理器及邏輯電路的基本單元。它的體積的大小直接關系到超大規(guī)模集成電路的集成度。按著名的摩爾定律，每隔18個月集成電路的集成度要增加一倍。根據(jù)1999年國際半導體工業(yè)協(xié)會公布的國際半導體工藝路圖(ITRS)的預測，到2005年，0.1μm的光...
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