技術(shù)編號:3372837
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及半導體設(shè)備制造,特別專注于金屬有機物化學氣相沉積 (MOCVD)設(shè)備的加熱系統(tǒng)。技術(shù)背景MOCVD是適合生長半導體照明用LED材料外延片的良好技術(shù)。也是一種工業(yè)化的經(jīng)濟實用技術(shù),其生長原理是在一塊加熱適當溫度的襯底上,含有III和V族元素的氣態(tài)化合物有控制的輸送到襯底表面,生長出有特定組分、特定厚度、特定電學和光學參數(shù)的薄膜沉積材料。加熱器是整個MOCVD設(shè)備的重要組成部分,為氣相沉積過程提供溫度環(huán)境保證。 以GaN生長為例,一般要求加熱器上...
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