技術(shù)編號:3373410
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及高壓氣體容器的處理方法,具體地說,涉及內(nèi)表面表層部分的Si含量在一定量以下的高壓氣體容器的處理方法和充填在該高壓氣體容器中的含鹵素的氣體充填物。更具體地說,本發(fā)明涉及在利用水壓進(jìn)行的耐壓試驗(yàn)后,研磨其內(nèi)表面達(dá)到一定深度的高壓氣體容器的處理方法和充填在該高壓氣體容器中的含鹵素的氣體充填物。背景技術(shù) 含鹵素的氣體被作為半導(dǎo)體摻雜劑、干腐蝕劑和CVD裝置的清洗氣體而使用,但是對用于這些用途的含鹵素的氣體要求其具有高的純度。對于這樣的高純度氣體的充填容器...
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