技術(shù)編號(hào):3374199
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及金屬表面拋光,對(duì)貴金屬納米線陣列的表面等離子體共振譜進(jìn)行光學(xué)測(cè)量時(shí),為保證通過(guò)樣品后有一定的光信號(hào),需要對(duì)貴金屬納米線陣列背面的電極(金膜)進(jìn)行去除,本發(fā)明具體涉及。背景技術(shù)貴金屬納米線陣列因具有光學(xué)各向異性會(huì)展現(xiàn)出豐富的表面等離子體共振(SPR) 特征,它除了具有通常納米顆粒的偶極和多級(jí)sra振動(dòng)模式以外,還具有縱向振動(dòng)和橫向振動(dòng)模式。因此它在近場(chǎng)光學(xué)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、生物標(biāo)記和環(huán)境探測(cè)等領(lǐng)域具有潛在的重要的應(yīng)用前景。進(jìn)行貴金屬納米線陣列SPR的基礎(chǔ)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。