技術(shù)編號(hào):3375336
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種高熱穩(wěn)定性Ru/TaN雙層擴(kuò)散阻擋層薄膜材料及制備。 背景技術(shù)隨著科學(xué)技術(shù)的突飛猛進(jìn),半導(dǎo)體制造技術(shù)面臨日新月異的變化。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝主要采用鋁作為金屬互聯(lián)材料antercormect),在信號(hào)延時(shí)(signal delay)上已經(jīng)受到限制。相對(duì)于鋁,銅具有良好的導(dǎo)電和電遷移性能,從而在超大規(guī)模集成電路(ULSI) 制造中銅已經(jīng)取代鋁成為主要的互連材料。簡(jiǎn)單地說(shuō),以銅作為金屬互聯(lián)材料的一系列半導(dǎo)體制造工藝可以提高芯片的集成度,提高器件密度,...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。