技術(shù)編號(hào):3375648
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使用硫?qū)俨A纬傻碾娮杩勺兇鎯?chǔ)器件領(lǐng)域,特別涉及一種將硒化銀膜沉積在硫?qū)俨A系母倪M(jìn)方法。背景技術(shù)與目前使用的存儲(chǔ)技術(shù)相比,由于在開關(guān)特性、不揮發(fā)性、存儲(chǔ)速度、可靠性、熱特性和耐用性方面有潛在的優(yōu)點(diǎn),所以將硫?qū)倩锊牧嫌糜陔娮杩勺兇鎯?chǔ)器件在目前引起極大的關(guān)注。在下面的論文中報(bào)道了此領(lǐng)域中的研究“High Speed Memory Behavior and Reliabilityof an Amorphous As2S3Film doped wit...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。