技術(shù)編號：3376985
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及及成膜裝置。 背景技術(shù)在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，有時在鎢膜上形成氧化硅(SiO2)膜。例如，專利文獻(xiàn)1記載有在鎢等金屬上形成氧化硅膜的技術(shù)。專利文獻(xiàn)1 日本特開2006-54432號公報但是，在鎢(W)膜或者氧化鎢(WO3)膜上形成氧化硅膜時，存在這樣的情況在成膜的初期階段，硅向鎢、或者氧化鎢的表面的吸附速度慢，到氧化硅膜成長完成的孵育時間較長。由于孵育時間較長，因此，與在鎢以外的基底上形成的氧化硅膜相比膜厚較薄，并且， 存在這樣的情況在成膜初期...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。