技術(shù)編號:3377242
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于制造在光學(xué)薄膜和光學(xué)設(shè)備、光電子學(xué)用設(shè)備以及半導(dǎo)體設(shè)備等中使用的薄膜的,特別涉及一種通過改良等離子體發(fā)生單元和真空容器,來提高與薄膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的活性物種的密度的薄膜形成裝置、及利用該薄膜形成裝置的薄膜形成方法。背景技術(shù) 以往,利用在真空容器內(nèi)形成為等離子體的反應(yīng)性氣體,在基板上進行薄膜的形成、形成后的薄膜的表面改性,以及蝕刻等等離子體處理。例如,公知有如下技術(shù)使用濺鍍技術(shù),在基板上形成由金屬的不完全反應(yīng)物構(gòu)成的薄膜,使由該不完全反應(yīng)物構(gòu)...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。