技術(shù)編號：3379300
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制程，尤其涉及一種多晶硅沉積制程。 背景技術(shù)以多晶硅作為MOS器件的柵極是MOS技術(shù)的一項重大發(fā)展，其原因是多 晶硅柵極的可靠性優(yōu)于鋁電極。 一般最常用的低壓沉積有兩種方法， 一種是壓 強約為4 10Pa,使用完全純度的硅烷(SiH4)作為反應(yīng)氣體；另一種是利用氮 氣作為稀釋硅烷的氣體，濃度控制在20% ~ 30%。使用完全純度的硅烷作為反應(yīng)氣體是集成電路中所用多晶硅薄膜的制備中 普遍采用的標準方法，具有生長速度快，成膜致密、均勻、裝片容量...
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