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技術(shù)編號：3382608

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本發(fā)明涉及一種在單晶硅太陽能電池表面沉積高質(zhì)量SiN薄膜的方法。屬于 l陽能應(yīng)用領(lǐng)域 背景技術(shù)目前單晶硅太陽能電池片減反射膜的制造是采用PECVD方法在單晶硅電池 片襯底上沉積SiN薄膜。由于反應(yīng)氣體在反應(yīng)室各處的比例不同，使得薄膜在 沉積過程出現(xiàn)不均勻的情況。而且單晶硅片也存在晶界、點缺陷(空位、填隙原 子、金屬雜質(zhì)、氧、氮及他們的復(fù)合物)對材料表面和體內(nèi)缺陷的鈍化也是很重 要。本發(fā)明解決了單晶硅太陽能電池片體鈍化的問題，提供了一種能生產(chǎn)出致密 性好、均...
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