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技術(shù)編號(hào)：3391890

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本發(fā)明是關(guān)于制作半導(dǎo)體基片的方法，更具體地說(shuō)，是關(guān)于適用于籍助介質(zhì)隔離或在絕緣體上形成單晶半導(dǎo)體層的電子器件、集成電路的。絕緣體上形成單晶硅半導(dǎo)體層，作為絕緣體上外延硅(SOI)技術(shù)是眾所周知的。因?yàn)椴捎眠@種SOI技術(shù)的器件具有采用體硅襯底制作普通的硅集成電路時(shí)所達(dá)不到的種種優(yōu)越性，所以進(jìn)行了許多研究。這就是說(shuō)，利用SOI技術(shù)可獲得如下這些優(yōu)點(diǎn)1.因易于實(shí)現(xiàn)介質(zhì)隔離，可提高集成度;2.抗輻射性能良好;3.雜散電容低，能實(shí)現(xiàn)高速度;4.可省去形成阱的工序;5...
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