技術(shù)編號：3394998
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請是1995年12月15日提交的美國專利申請第08／573．318號的部分繼續(xù)申請(CIP)。本發(fā)明總體上涉及在半導(dǎo)體和集成電路基片上的膜的形成，更具體地說，涉及一種通過化學(xué)氣相沉積(CVD，chemical vapor deposition)形成具有較低金屬污染物的介電層的方法。在半導(dǎo)體和集成電路制造過程中，為形成半導(dǎo)體和集成電路器件，要沉積各種各樣的材料層。介電層通常用于隔離各導(dǎo)電層并在這些導(dǎo)電層之間實現(xiàn)有用互連。經(jīng)常用化學(xué)氣相沉積(CVD)形成介...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。