技術(shù)編號：3397042
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于新型微納電子功能器件領(lǐng)域，具體涉及存儲元件及其制造方 法，尤其涉及。 背景技術(shù)自從1990年起，以"半導(dǎo)體存儲技術(shù)"為主而開發(fā)出來的存儲器，己成 為現(xiàn)今存儲媒體的新興技術(shù)，同時(shí)對存儲器的需求量將隨著大量資料存儲或傳 輸而日益增加，所以開發(fā)新型態(tài)的存儲器元件有其相當(dāng)重要的意義和價(jià)值。目前，氧化物材料如NiO、 Ti02、 ZnO、 PrxCai_xMn03、 SrZr03等的電阻 開關(guān)特性，即兩個(gè)不同電阻態(tài)之間的轉(zhuǎn)換特性備受關(guān)注，而利用該特性制作的...
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