技術編號：3398350
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及超大磁電阻材料制備領域。自從1993年超大磁電阻(CMR)現象在LaxCa1-xMnO3(LCMO)薄膜中發(fā)現以來，LCMO作為一種極具實用開發(fā)價值的新型磁電阻材料倍受人們關注，并得到了廣泛的研究。在適當的條件下，LCMO的磁電阻效應可高達120,000％，是目前常用磁電阻材料的數千倍。然而，它離實際應用仍有較大距離。因為，這種磁電阻現象出現的溫度范圍較低(200～250K)，在居里溫度附近所需磁場較大(7T左右)。如何提高其在低場下的磁電阻效應...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。