技術(shù)編號(hào):3398494
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一般而言,本發(fā)明涉及化學(xué)汽相沉積系統(tǒng),而且,更具體地,涉及包括具有抗氧化涂層以減少沉積物在其上形成的傳送帶的帶式驅(qū)動(dòng)常壓化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)。背景技術(shù)化學(xué)汽相沉積(CVD)系統(tǒng)或反應(yīng)器非常有名,并且,廣泛用于在基體表面上沉積或生長各種組成的薄膜。例如,CVD系統(tǒng)一般用于在半導(dǎo)體晶片上沉積介電、鈍化和摻雜劑層。CVD系統(tǒng)的運(yùn)行通過將處理氣體或化學(xué)蒸氣送入待處理基體已放置其中的工藝室來進(jìn)行。氣源的化學(xué)物質(zhì)經(jīng)過其體,在基體表面上吸附和反應(yīng)沉積成薄膜??梢允褂酶鞣N惰性...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。