技術(shù)編號:3400228
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,特別是。背景技術(shù)立方氮化硼(c-BN)是一種低密度、超硬、寬帶隙、高熱導(dǎo)率、高電阻率、高熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性的III-V族化合物半導(dǎo)體材料。它與金剛石、碳化硅、和氮化鎵一起被稱為是繼硅、鍺及砷化鎵之后的第三代半導(dǎo)體材料,這其中又以c-BN的綜合性能最為優(yōu)異,在高溫、高頻、大功率電子器件方面有著廣泛的應(yīng)用前景。對c-BN薄膜的摻雜及其電學(xué)輸運特性的研究是實現(xiàn)c-BN作為高溫電子材料的基礎(chǔ),而實現(xiàn)金屬在c-BN薄膜上的歐姆接觸則是研究其電學(xué)輸...
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