技術(shù)編號：3400496
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種沉積薄膜的設備，尤其涉及一沉積碳納米管薄膜的設備。背景技術(shù)場發(fā)射電子源廣泛應用于眾多真空微電子設備，如平板顯示器、離子槍、電子束光刻裝置、電子顯微鏡及微探針中。傳統(tǒng)的場發(fā)射陰極材料包括具有納米尺寸發(fā)射尖端的金屬(如鉬)或半導體材料(如硅)。但這些材料的起始電壓較高，達到100V，高操作電壓會增加發(fā)射尖端上的離子轟擊與表面消熔導致的發(fā)射不穩(wěn)定性，從而需要提供一更高的操作電壓以確保電子發(fā)射密度。另，這些材料很難批量制造出具有均勻大小的發(fā)射尖端，其...
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