技術(shù)編號：3402453
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種金屬濺鍍靶，尤其是涉及一種用于金屬沉積的金屬硅化物濺鍍靶。在半導(dǎo)體元件的制造過程中，一般為了降低導(dǎo)電層的電阻，通常會在多晶硅(Polysilicon)上形成一金屬硅化物層(Metal Silicide)，簡稱硅化金屬(Silicide)，例如，以MOS元件為例，其為降低漏極、源極、及多晶硅上的接觸窗的界面阻值(Rc)，通常會分別于其上形成一金屬硅化物層。而，隨著半導(dǎo)體元件集成度(Integrity)增加，為調(diào)降漏極與源極的薄層電阻(Sheet...
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