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技術(shù)編號：3402824

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本發(fā)明涉及一種化學(xué)氣相沉積裝置，特別是涉及一種用于半導(dǎo)體式集成電路芯片的制造的效能佳、使用時間長的化學(xué)氣相沉積的裝置。化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD)是利用化學(xué)反應(yīng)的方式，在反應(yīng)器內(nèi)，將反應(yīng)氣體生成固態(tài)的生成物，并沉積在芯片表面的一種薄膜沉積技術(shù)。而CVD的制造工藝中，它可區(qū)分為常壓(AP)、低壓(LP)、及電漿(PE)三種不同的沉積方式。請參閱圖1，圖1所示為一常用爐管式LPCVD設(shè)備。爐管10本身是以經(jīng)退火...
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