技術(shù)編號(hào):3404657
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。這里描述的發(fā)明涉及工件拋光領(lǐng)域,特別涉及半導(dǎo)體晶片CMP加工中的力測(cè)量和校準(zhǔn)方法和裝置。 背景技術(shù)集成電路,包括計(jì)算機(jī)芯片,是通過在硅晶片的前側(cè)堆疊電 路層而制成的。在制造過程中,要求極高度的晶片平面度和層平 面度。化學(xué)機(jī)械平面化(CMP)是器件制造過程中的一項(xiàng)工藝, 其使得晶片和堆疊在晶片上的各層平坦化,以獲得所需程度的平 面度。化學(xué)機(jī)械平面化這種工藝?yán)脪伖鈮|拋光晶片,并且組合傳 送到墊上的漿料的化學(xué)和物理作用。晶片由晶片載具保持,晶片 的背側(cè)面對(duì)晶片...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。