技術(shù)編號(hào):3405300
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路裝置的制造工序中所用的研磨技術(shù),更具體涉及適合于作為絕緣性阻擋層、止蝕(etching sto卯er)層、防反射層等的構(gòu)成 材料的SiC的研磨的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨劑、被研磨面的研磨方法及使用其的半 導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法。背景技術(shù)近年來,隨著半導(dǎo)體集成電路的高集成化 高功能化,需要開發(fā)用于精細(xì) 化 高密度化的精細(xì)加工技術(shù)。半導(dǎo)體器件制造工序、特別是多層配線的形成 工序中,層間絕緣膜和埋線的平坦化技術(shù)是很重要的。即,隨著配線因半導(dǎo)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。