技術(shù)編號(hào):3410830
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使規(guī)定頻率的電磁波透過并將其導(dǎo)向處理容器,生成等離子體以對(duì)被處理體進(jìn)行等離子體處理的等離子體處理裝置及其使用的滯波板。背景技術(shù)作為對(duì)半導(dǎo)體晶片等被處理體,進(jìn)行例如氧化處理和氮化處理、蝕刻處理、 CVD (Chemical Vapor D印osition,化學(xué)氣相沉積)處理等等離子體處理的等離子體處理裝置,已知有使用具有多個(gè)縫隙(slot,狹縫)的平面天線向處理容器內(nèi)導(dǎo)入微波來生成等離子體的縫隙天線方式的等離子體處理裝置。這樣的微波等離子體處理裝置...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。