技術(shù)編號:3413555
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種多腔體薄膜沉積裝置及其抽氣模塊。背景技術(shù)薄膜沉積(Thin Film Deposition)可應(yīng)用于各種物品或組件,例如半導(dǎo)體組件等的表面處理;它是一種在各種材料例如金屬、超硬合金、陶瓷及晶圓基板的表面上,成長一層或多層同質(zhì)或異質(zhì)材料薄膜的制程。依據(jù)沉積過程是否含有化學(xué)反應(yīng),薄膜沉積可區(qū)分為物理氣相沉積(PhysicalVapor Deposition,簡稱 PVD)及化學(xué)氣相沉積(ChemicalVapor Deposition,簡稱 CV...
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