技術(shù)編號(hào)：3415245
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種化學(xué)氣相沉積外延設(shè)備，具體涉及一種化學(xué)氣相沉積外延設(shè)備用的噴淋頭結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapour D印osition，簡(jiǎn)稱CVD)是上世紀(jì)中期發(fā)展起來(lái)的一種薄膜沉積的方法，是通過(guò)氣體混合后在一定的條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并在基片表面沉積一層薄膜的工藝。在現(xiàn)在廣泛用于微電子、光電子以及硬質(zhì)鍍膜等領(lǐng)域中。用化學(xué)氣相沉積方法沉積薄膜材料，通常需要各種原材料和載入氣體，原材料包括參與化學(xué)反應(yīng)并形成薄膜產(chǎn)物的原料成分；載氣包括各種...
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