技術(shù)編號(hào):3416007
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及相變材料及其制備方法,尤其是可用于相變存儲(chǔ)器的Sb-Te-Ti相變薄膜材料。背景技術(shù)相變存儲(chǔ)器(PCRAM)原理是以硫系化合物為存儲(chǔ)介質(zhì),利用電能(熱量)使材料在晶態(tài)(低阻)與非晶態(tài)(高阻)之間相互轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)信息的寫入與擦除,信息的讀出靠測(cè)量電阻的大小,比較其高阻“1”還是低阻“0”來實(shí)現(xiàn)的。Sb-Te系列相變材料結(jié)晶過程以晶粒生長(zhǎng)占主導(dǎo),因此相變速率快,而且熔點(diǎn)比 GST(Ge2Sb2Te5)低,因此所需功耗低。然而Sb-Te系列相變材料同時(shí)也存...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。