技術(shù)編號：3416716
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的方法及托盤。 背景技術(shù)硅片背封是在硅片表面沉積二氧化硅薄膜。背封是在背 封爐中進(jìn)行。背封時(shí)，硅片放置于托盤上。圖1為一種硅片背封時(shí)所使用的托盤俯視圖。圖2為圖1的A-A剖視圖。如圖1、圖2所示，托盤1上設(shè)置有放置硅片的容置槽11，容置槽11的邊緣處對稱設(shè)置有兩個導(dǎo)槽12。實(shí)際生產(chǎn)時(shí)，每個托盤上設(shè)置有多個容置槽，圖1、圖2僅示出了一個。托盤1沿著圖1中右側(cè)的箭頭方向行進(jìn)進(jìn)入背封爐。導(dǎo)槽12的作用是方便取放硅片。沉積...
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