技術(shù)編號：3416796
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種陰極弧金屬離子源，尤其涉及一種用于陰極弧金屬離子源的屏蔽直O(jiān)背景技術(shù)使用真空陰極弧離子源是產(chǎn)生金屬離子的主要方法之一，它可以在真空環(huán)境下使陰極靶材蒸發(fā)并離化形成等離子體，蒸發(fā)出來的靶材離化率大于80%。在陰極弧離子源的陰極靶材上施加負(fù)電壓，通過引弧裝置激發(fā)靶材表面弧光放電形成陰極弧斑。面積很小(< Imm2)的陰極弧斑內(nèi)，局域施加的功率很大(3KW)，使陰極弧斑處形成局域高溫(> 6000°C )，陰極材料被蒸發(fā)并離化成金屬離子，...
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