技術(shù)編號：3417820
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及碳化硅薄膜制備，具體涉及一種用原子層沉積設(shè)備制備碳化硅薄膜的方法。背景技術(shù)阿奇遜在1891年發(fā)現(xiàn)SiC材料以來，SiC已成為人們廣為利用的非氧化物陶瓷材料。它有許多特性，如硬度高、耐磨削、耐高溫、耐氧化、耐腐蝕、高熱導(dǎo)率、高化學(xué)穩(wěn)定性、 寬帶隙以及高電子遷移率等，被作為磨料、耐火材料、電熱元件、黑色有色金屬冶煉等應(yīng)用的原料。其常見晶體結(jié)構(gòu)有六方和立方體兩種結(jié)構(gòu)，把它用做襯底可以較好地解決器件的散熱問題，因此在半導(dǎo)體照明占有著重要的地位。其次，在近...
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