技術(shù)編號(hào):3417825
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及氮化鋁薄膜制備,具體涉及一種用原子層沉積設(shè)備制備氮化鋁薄膜的方法。背景技術(shù)氮化鋁(AlN)是一種性能優(yōu)良的寬能隙直接帶隙結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體材料。具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電導(dǎo)率高和穩(wěn)定性高等特性。高質(zhì)量的氮化鋁還有極高的聲傳播速率、較小的聲波損耗和大壓電耦合常數(shù),以及和Si想匹配的熱膨脹系數(shù),電絕緣性好且無(wú)毒等特性。目前被廣泛的用于微電子、光學(xué)領(lǐng)域,在聲表面器件(SAW)制造領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。SAW器件具有體積小、重量輕;工作時(shí)不需外加偏壓且...
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