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技術(shù)編號：3419074

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本發(fā)明涉及III族氮化物半導體晶體生長方法、III族氮化物半導體晶體的制造方法和m族氮化物半導體晶體基板。背景技術(shù)III族氮化物半導體晶體，比如具有3.4eV的能帶隙和高導熱率的 GaN(氮化鎵)晶體，作為用于半導體器件比如短波長的功率電子器件 和光學器件的材料而備受矚目。作為這種III族氮化物半導體晶體的制造方法，例如日本專利特開 2003-17420 (專利文件1)公開了一種基于HVPE (氫化物氣相外延)， 采用硅烷(SiH4)、乙硅垸(Si2H6)...
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