技術(shù)編號:3419113
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)技術(shù),尤其是涉及高效、具有成本效益的改進(jìn)CMP操作。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體裝置的制造中,需要進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)操作。通常,集成電路裝置成多層結(jié)構(gòu)。在基質(zhì)層,形成具有擴(kuò)散區(qū)域的晶體管裝置。在隨后的層中,相互連接的金屬噴鍍線形成一定圖形,并與晶體管裝置電連接,以便確定合適的功能裝置。眾所周知,形成圖形的導(dǎo)體層通過電介質(zhì)材料例如二氧化硅而與其它導(dǎo)體層絕緣。當(dāng)形成更多金屬噴鍍層和相應(yīng)的電介質(zhì)層時,更加需要使電介質(zhì)材料平坦化(...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。